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產(chǎn)品簡介

  HSE200/230設(shè)備是針對MEMS及先進封裝領(lǐng)域開發(fā)的深硅刻蝕設(shè)備，主要用于8英寸及以下MEMS刻蝕，以及8-12英寸先進封裝硅刻蝕。設(shè)備針對研發(fā)/中試線/量產(chǎn)領(lǐng)域可以靈活配置平臺方式。HSE200/230采用雙等離子源設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)先進封裝領(lǐng)域硅材料高速、高產(chǎn)能的需求，同時保證200mm/300mm晶圓的均勻性控制。同時采用脈沖偏壓設(shè)計，保證TSV高深寬比及優(yōu)異的形貌控制。目前HSE 200/230已在客戶現(xiàn)場大規(guī)模使用，設(shè)備穩(wěn)定性、重復(fù)性、產(chǎn)品生產(chǎn)良率等均滿足用戶需求。