粉體行業(yè)在線展覽
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6英寸導電型襯底
直接聯(lián)系
北京天科合達半導體股份有限公司
北京
面議
天科合達
6英寸導電型襯底
919
產(chǎn)品規(guī)格書
車規(guī)級（Z級）
研發(fā)型（D級）
| 直徑 | 149.5 mm-150.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 350 μm±15 μm | |
| 晶片方向 | 偏轉角度：向<11-20>偏轉4.0±0.5° | |
| 微管密度 | ≤0.2 cm-2 | |
| 電阻率 | 0.015-0.024 Ω·cm | |
| 主定位邊方向 | {10-10} ±5.0° | |
| 主定位邊長度 | 47.5 mm±2.0 mm | |
| 邊緣去除 | 3 mm | |
| 局部厚度變化/總厚度變化/彎曲度/翹曲度 | ≤2.5 μm/≤6 μm/≤25 μm/≤35 μm | |
| 表面粗糙度 | 拋光 Ra≤ 1 nm | |
| CMP Ra≤ 0.2 nm | ||
| 邊緣裂紋（強光燈觀測） | —— | |
| 六方空洞（強光燈觀測） | 累積面積 ≤ 0.05% | |
| 多型（強光燈觀測） | —— | |
| 目測包裹物（日光燈觀測） | 累積面積 ≤ 0.05% | |
| 硅面劃痕（強光燈觀測） | —— | |
| 崩邊（強光燈觀測） | 不允許寬度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm | |
| 穿透螺位錯 | ≤ 500 cm-2 | |
| 硅面污染物(強光燈觀測) | —— | |
| 包裝 | 多片卡塞 / 單片盒包裝 | |
