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　　由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源，經氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅，其優異的導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在**、航天、航空、電子行業等高尖端領域用來替代電子級單晶硅和多晶硅，成為當前高科技領域公認的第三代半導體材料和LED等應用的電子封裝、基板材料。