粉體行業(yè)在線展覽
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碳化硅pvt培育的長(zhǎng)晶
直接聯(lián)系
浙江東尼電子股份有限公司
浙江
面議
東尼電子
碳化硅pvt培育的長(zhǎng)晶
1049
PVT法長(zhǎng)晶
籽晶粘結(jié)成功率可以接近100%，平均生長(zhǎng)速度0.13-0.16mm/h，晶體利用率更高，更加適合6～8寸晶體的生長(zhǎng)，單位晶體成本更低。同時(shí)具有高可靠性，熱場(chǎng)和工藝調(diào)節(jié)更便捷，更加適合規(guī)模化生產(chǎn)，這些優(yōu)勢(shì)在生長(zhǎng)大尺寸晶體時(shí)尤其明顯。
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碳化硅pvt培育的長(zhǎng)晶
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