硅結晶單元

多晶和類單晶硅錠生產(chǎn)基準

ALD真空技術有限公司是太陽能應用硅錠生產(chǎn)技術的領導企業(yè)。ALD的硅晶熔化裝置(SCU)爐用于將太陽能級硅熔煉和結晶成方形、多晶和單晶錠，這是太陽能晶片和電池制造過程中的關鍵步驟。這些硅錠被切割和切割成太陽能晶片，然后由電池制造商加工成太陽能電池。

ALD在開發(fā)、工程和支持高溫應用的先進爐子設計方面擁有150多年的經(jīng)驗和知識。這一經(jīng)驗意味著我們的客戶獲得了無故障設備、快速調(diào)試和快速生產(chǎn)升級的保障。對于硅產(chǎn)業(yè)而言，ALD公司在全球擁有數(shù)百個SCU裝置，它擁有關于太陽能行業(yè)的久經(jīng)驗證的專業(yè)知識，熔煉質(zhì)量**達2000公斤。大多數(shù)ALD SCU爐采用上下加熱方式進行垂直晶粒生長，能夠以恒定的結晶速率運行，具有業(yè)內(nèi)*快的循環(huán)周期，并且在爐底有多層屏蔽以防外泄。

                                                              ALD的SCU爐裝置

SCU 450 – 1500爐是針對以下方面進行設計和優(yōu)化的高性能硅熔煉和結晶系統(tǒng)：

• 大量生產(chǎn)太陽能應用的方形多晶和單晶硅錠

• 從G5到G8靈活的坩堝尺寸

• 安全生產(chǎn)400至1500公斤質(zhì)量的硅錠

• 提高高性能多晶（HPM）和Mono^2TM錠的得率

• 實驗室規(guī)模生產(chǎn)G1到G4方形多晶和單晶硅錠

多晶硅錠生產(chǎn)

多晶硅錠是在惰性氣體環(huán)境下，在石英坩堝中熔煉硅原料，隨后由熔融硅結晶而產(chǎn)生的。SCU爐配備了各種獨特的、經(jīng)過生產(chǎn)驗證的設計特點，包括工程石墨絕緣熱區(qū)、頂部和底部加熱器、主動冷卻系統(tǒng)、眾多用于測量和工藝參數(shù)控制的**傳感器。SCU爐設計能夠精確控制結晶參數(shù)，例如恒定結晶速率、熔體攪拌以*小程度減少夾雜物和垂直晶體生長，這些是影響由硅錠生產(chǎn)的晶片和電池質(zhì)量的關鍵因素。基于坩堝上非常均勻的溫度分布，諸如具有種子層的高性能多晶（HPM）鑄錠等創(chuàng)新工藝可以容易地適應SCU爐，這保留了種子層，并使每個鑄錠的HPM磚的產(chǎn)量**化。

單晶硅錠生產(chǎn)

使用Mono^2TM**技術，通過標準SCU爐配備一些附加的工藝控制以生產(chǎn)方形單晶硅錠。這種獨特的工藝技術結合了多晶硅鑄錠的生產(chǎn)能力/成本優(yōu)勢和類單晶硅錠的特點，并被優(yōu)化用于SCU爐（**Gen8錠）。

與CZ提拉爐相比，Mono^2TM工藝的主要優(yōu)點是生產(chǎn)類單晶錠產(chǎn)量高，生產(chǎn)成本顯著降低。電池制造商將受益于較少的反射損耗和更高的電流，同時又能使用標準電池處理。ALD協(xié)助我們的客戶提供全面的服務，包括優(yōu)化用于Mono^2TM工藝的設備、技術轉(zhuǎn)讓、客戶培訓和使用Mono^2TM技術的許可協(xié)議。

ALD SCU爐的優(yōu)點

• **生產(chǎn)率—基于上/下加熱器和主動冷卻系統(tǒng)的短周期效益

• 高的產(chǎn)品質(zhì)量—基于針對結晶速率、固/液界面曲率、溫度曲線、梯度和熱通量等重要工藝參數(shù)的精確控制和可調(diào)性

• 降低生產(chǎn)成本—優(yōu)化爐設計及熱區(qū)幾何以實現(xiàn)低耗電和耗水率

• 產(chǎn)品靈活性—使用相同的熔爐、坩堝和車間生產(chǎn)多晶和單晶錠。

• **安全概念—市場上任何硅熔煉和結晶爐均采用兩層保護

• 易擴展性— SCU爐提供以下尺寸和型號：SCU450/G5錠生產(chǎn)；SCU650/G5-G6 錠生產(chǎn)；SCU 1200/G5-G7錠生產(chǎn)和SCU 1500/G5-G8錠生產(chǎn)。

現(xiàn)場演示和工程服務

ALD在其內(nèi)部研發(fā)實驗室內(nèi)設有用于生產(chǎn)G5和G6錠的SCU爐。我們歡迎新客戶來觀看我們使用客戶的硅混合料對SCU進行現(xiàn)場演示。周期時間、易用性和工藝控制可以作為爐子改進項目的一部分來進行驗證。此外，如果貴公司希望驗證每個鑄錠的HPM或Mono^2TM磚的預測塊錠產(chǎn)量，這些熔爐可滿足您的加工要求。

ALD也期待有機會幫助客戶設計專用爐子，以滿足新的要求和應用。