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面議
1990
德國(guó)海德堡Heidelberg激光直寫(xiě)光刻機(jī) MLA150
德國(guó)高精密激光直寫(xiě)繪圖機(jī)
非接觸式曝光
可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻
MLA150專為便于操作而設(shè)計(jì),涵蓋過(guò)去30年中開(kāi)發(fā)的激光直寫(xiě)設(shè)備的所有技術(shù)知識(shí)。它提供了單層和多層應(yīng)用所需的所有功能,由于MLA150曝光是非接觸式的,因此它可以克服無(wú)光罩曝光技術(shù)的局限性。
與其他圖形產(chǎn)生器不同的地方不僅在于MLA150易于使用,還有極快的曝光速度。使用小至1微米的結(jié)構(gòu)曝光100x100mm2的區(qū)域僅需要不到10分鐘。透過(guò)使用三個(gè)不同分辨率的集成攝像頭,可在2分鐘內(nèi)完成多層應(yīng)用中的套刻對(duì)位,套刻對(duì)準(zhǔn)精度優(yōu)于500nm。
MLA150無(wú)光罩激光直寫(xiě)設(shè)備直接曝光圖形的靈活性能,可提升在Life Science, MEMS, Micro-Optics, Semiconductor, Sensors, Actuators, MOEMS, Material Research, Nano-Tubes, Graphene及任何其他需要微結(jié)構(gòu)等領(lǐng)域的工作效率。
功能
基板到9 x 9”
標(biāo)準(zhǔn)版:1μm結(jié)構(gòu)
高分辨率版本:結(jié)構(gòu)可達(dá)600納米
2暴露面積150 x 150毫米(200 x 200平方毫米可選)
非接觸式曝光
光源為405 nm和375 nm
基于SLM光引擎
多種數(shù)據(jù)輸入格式
校準(zhǔn)精度為500納米
背面對(duì)齊
實(shí)時(shí)自動(dòng)對(duì)焦
抵制數(shù)據(jù)庫(kù)
自動(dòng)標(biāo)記和序列化
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037