粉體行業(yè)在線展覽
粉體行業(yè)在線展覽
量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200
直接聯(lián)系
合肥致真精密設(shè)備有限公司
安徽
面議
致真精密
量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200
1076
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備是針對生產(chǎn)企業(yè)實驗室和產(chǎn)線研發(fā)的一系列高性能、高效率的磁控濺射裝備。MSI-200型磁控濺射設(shè)備采用多個真空腔室互聯(lián)的設(shè)計，通過晶圓真空傳輸平臺實現(xiàn)晶圓的傳輸，可搭配多個濺射室或處理腔室，適用于生產(chǎn)產(chǎn)線或?qū)嶒灳€。
性能參數(shù)
| 晶圓尺寸 | 8~12吋 |
| 鍍膜均勻性 | 優(yōu)于±3% |
| 極限真空 | 優(yōu)于5×10-9mbar（工藝室PM） 優(yōu)于5×10-7mbar（傳輸室TM） 優(yōu)于5×10-6mbar（進樣室Load lock） |
| 樣品臺溫控 | RT-800℃，可選RT-1200℃ |
| 工藝室 | 預(yù)清洗室、濺射室、退火室、低溫室、蒸發(fā)室、氧化室等 |
| 傳輸室 | 可選四邊形、六邊形或八邊形腔室，可實現(xiàn)多個傳輸室互聯(lián)，配置雙臂或單臂機械臂，配置校準和測量裝置 |
| 進樣室 | 8或12吋晶圓，可選EFEM等前端模塊 |
| 濺射室陰極數(shù)量 | 6-12個4inch陰極 |
| 沉積精度 | 0.1nm |
| 詳細配置可咨詢業(yè)務(wù)人員 |
客戶案例1
客戶制備： Sub/Ta/Mo/MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO/Mo多層薄膜
磁性金屬/金屬/磁性金屬構(gòu)成反鐵磁耦合結(jié)構(gòu)的表征圖
客戶案例2
客戶通過沉積Ti膜測試8inch晶圓均勻性，分別在圓心、4 inch、6 inch和8 inch處分別置放10cm*10cm硅片，獲得七個位置的薄膜厚度，其中**結(jié)果不均勻性達1.9%，獲得客戶好評。
（4英寸陰極濺射8英寸晶圓，平均薄膜厚度為49nm左右，均勻性1.9%，該指標為目前國際**水平）
均勻性測試表征圖
觀察窗擋板
傾斜式高溫樣品臺
蒸發(fā)源
圓形互聯(lián)設(shè)備（外置機械臂、內(nèi)置機械臂）
兩個鍍膜系統(tǒng)直接互聯(lián)設(shè)備
超高真空管道傳輸設(shè)備
晶圓真空傳輸平臺—VTM
量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-UHV
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-HV
量產(chǎn)級多功能薄膜沉積設(shè)備
分子束外延設(shè)備—MBE-400
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037
