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液相法長晶爐
直接聯系
山東力冠微電子裝備有限公司
山東
面議
山東力冠
397
本設備主要用于碳化硅（SiC）單晶生長。液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實現SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現晶體的生長。
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